• Dysk SSD Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S2T0BW 2TB PCIe Gen 3.0 x4 NMMe

Symbol: MZ-V7S2T0BW

Dysk SSD Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S2T0BW 2TB M.2 NVMe

Gwarancja 60 miesięcy
Brak towaru
689.00
Wpisz swój e-mail
Wysyłka w ciągu 24 godziny
Cena przesyłki 8.99
Paczkomat Inpost 8.99
Przesyłka kurierska 14
Przesyłka kurierska pobraniowa 18
Dostępność 0 szt.

Dysk SSD Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S2T0BW 2TB M.2 NVMe

p/n: MZ-V7S2T0BW

Ten dysk SSD zapewnia przełomową szybkość i wysoką niezawodność. Innowacyjna technologia V-NAND, kontroler Phoenix i technologia Intelligent TurboWrite poprawiają zarówno gry wysokiej jakości jak i edycję grafiki 4K i 3D.
Osiągnij nowy poziom niezawodności dysku. Zaawansowany niklowany kontroler i rozpraszacz ciepła firmy Samsung zapewniają doskonałe odprowadzanie ciepła.
 Najważniejsze punkty sprzedaży
  • Dysk SSD rozszerzający możliwości
    Ten dysk SSD zapewnia przełomową szybkość i wysoką niezawodność. Innowacyjna technologia V-NAND, kontroler Phoenix i technologia Intelligent TurboWrite poprawiają zarówno gry wysokiej jakości jak i edycję grafiki 4K i 3D.
  • Niezrównana niezawodność
    Osiągnij nowy poziom niezawodności dysku. Zaawansowany niklowany kontroler i rozpraszacz ciepła firmy Samsung zapewniają doskonałe odprowadzanie ciepła.
Produkt:
Nazwa: SAMSUNG MZ-V7S1T0BW Samsung SSD 970 EVO Plus, 1TB, M.2 PCIe x4, 3500/3300 MB/s
Opis: Samsung 970 EVO Plus MZ-V7S1T0BW - SSD - zaszyfrowany - 1 TB - wewnętrzny - M.2 2280 - PCIe 3.0 x4 (NVMe) - bufor: 1 GB - 256 bitów AES - TCG Opal Encryption
 Ogólne
Rodzaj urządzenia: SSD - wewnętrzny
Pojemność: 2 TB
Kodowanie sprzętu: Tak
Algorytm kodowania: 256 bitów AES
Typ pamięci NAND: Komórka trzypoziomowa (TLC)
Rodzaj obudowy: M.2 2280
Interfejs: PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Cechy: Wsparcie TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, TurboWrite Technology, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Szerokość: 22.15 mm
Głębokość: 80.15 mm
Wysokość: 2.38 mm
Waga: 8 g
 Wydajność
Wytrzymałość SSD: 600 TB
Szybkość wewnętrzna danych: 3500 MBps (odczyt) / 3300 MBps (zapis)
Odczyt losowy 4 KB: 19000 IOPS
Zapis losowy 4KB: 60000 IOPS
Maksymalny zapis losowy 4KB: 550000 IOPS
Maks. odczyt losowy 4KB: 600000 IOPS
 Niezawodność
MTBF: 1,500,000 godziny
 Rozszerzenie i łączność
Interfejsy: PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Kompatybilna Wnęka: M.2 2280
 Zasilanie
Zużycie energii: 6 wat (przeciętna)
9 wat (maksymalnie)
30 mW (maks. czas bezczynności)
 Różne
Zgodność z normami: IEEE 1667
 Gwarancja producenta
 Parametry środowiska
Minimalna temperatura pracy: 0 °C
Maksymalna temperatura pracy: 70 °C
Odporność na wstrząsy (podczas pracy): 1500 g @ półokres sinusoidy 0,5 ms

Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.
Podpis
E-mail
Zadaj pytanie